Samsung farklı elektrik iletimi ile DRAM belleklerde daha fazla alan kazanıyor

Bellek üreticilerinin daha az zar alanında daha fazla kapasite elde etmek için çalışmaları yoğun bir şekilde devam ediyor. Çok katmanlı yapıların yanı sıra elektrik iletiminde de farklı çözümler kullanılıyor.

Silikon içi iletim

Samsung’un üzerinde çalıştığı silikon içerisinde elektrik hatlarını ileten TSV teknolojisi bu alanda önemli bir avantaj sağlıyor. Çok katmanlı yapılarda elektrik iletimini katman kenarlarından hatlarla iletmek yer kapladığı için TSV teknolojisi öne çıkıyor.

Samsung katmanların içerisinde elektrik hatlarını geçiriyor ve bu şekilde 12 DRAM katmanına kadar çıkılabiliyor. Ayrıca katmanlar arasında da boşluk bir miktar daha azaltılıyor ve alandan kazanılıyor. Böyle bir yapıda en az 60 bin iletim deliği yer alıyor. Kenardan elektrik iletimi ile 8 katman kullanılabilen bir alanda içeriden elektrik iletimi ile 12 katman kullanılabiliyor.

12 katmanlı TSV yapısı geleneksel yönteme göre biraz daha maliyetli olduğu için Samsung bunu henüz son kullanıcı ürünlerine yansıtmayı düşünmüyor. Yapı ilk olarak 24GB kapasiteli bir HBM2 bellekte kullanılacak. Sonrasında kurumsal müşterilere yönelik olarak bu sayı daha da artacak.