Şimdi Ara

Samsung 5nm EUV çalışmalarını tamamladı

Daha Fazla
Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az
2 Misafir - 2 Masaüstü
5 sn
5
Cevap
0
Favori
315
Tıklama
Daha Fazla
İstatistik
  • Konu İstatistikleri Yükleniyor
0 oy
Öne Çıkar
Sayfa: 1
Giriş
Mesaj


  • Yonga sektöründe 7nm süreci mobil tarafta olsun masa üstü tarafta olsun yaygınlaşma sürecine girmiş durumda. Dökümcü ve tasarımcılar 5nm süreci için çalışmalarını tamamlamak üzere.


    Samsung yaptığı açıklamada üzerinde çalıştığı daha verimli EUV tabanlı 5nm FinFET üretim süreci geliştirmelerini tamamladığını duyurdu. Yakın zamanda müşterilere 5nm döküm örneklemesi başlayacak.


    EUV nedir?


    Litografi sürecinde desenlerin silikon katmanlara basılması, photomask adındaki bir bileşenden ışığın geçerek bir CD büyüklüğündeki silikona ulaşması ile gerçekleşiyor. Photomask bileşeni entegre devrenin şablonunu taşıyan parçadır diyebiliriz. Ekstrem ultra viyole- EUV maskesi ise bu bileşen içerisinde en önemli parça.


    EUV teknolojisi derin ultra viyole – DUV teknolojisine göre üretimde verimliliği, hızı ve kaliteyi arttırıyor. Bununla birlikte maliyetleri daha yüksek. Sıkı kontrollerden geçen ve hatasız olarak üretilen bir EUV maskesinin fiyatı 100 bin dolara kadar çıkıyor. Bu bakımdan sadece Samsung ve TSMC firmaları EUV sürecini yönetebilecek bütçeye sahip.


    Ayrıca Bkz.Asus ilk ROG oyuncu kasasını duyurdu

    Samsung’un 5nm FinFET süreci 7nm sürecine göre yüzde 10 civarında performans artışı ve yüze 20 civarında enerji verimliliği sağlıyor. Ayrıca zar alanında da yüzde 25 civarında bir tasarruf söz konusu. Yani çok daha küçük yongalarda çok daha iyi performans elde edilebilecek.


    Bu süreçte 7nm dönemindeki araçların kullanılabilir olması en büyük avantaj. Böylece hem geçiş maliyetleri azalıyor hem de zamandan tasarruf sağlanıyor. Bunun etkisini elbette üretici ortaklar da hissedecek.


    Bilindiği üzere Exynos 9820 yonga seti EUV dönemine yetişmedi ve 8nm süreci derin ultra viyole – DUV ile üretildi. Şimdi ise firma EUV sürecinde 7nm, 6nm ve 5nm üretim yapabilecek duruma geldi. 6nm ve 7nm süreçleri uygulanabilir durumda ancak 5nm EUV için örneklemenin bitmesini beklemek gerekiyor. Bunun da en erken gelecek yıla sarkacağı beklentisi hâkim.


     







  • 5nm geçişler başlarsa anca 10 ve altını orta segmente anca görürüz.

  • Öncelikle; "masaüstü" bitişik yazılır. Her ne kadar transistörler arasındaki mesafe %25 azalmış olsa da, enerji kazanımı %20 civarında kalıyor. Silikonun doğası gereği 5nm'e yaklaştıkça harcanan kaynak miktarı ile (yani teknolojiye olan yatırım) kazanım arasında çok büyük bir fark ortaya çıkıyor. Örnek olarak; 3nm üretim teknolojisinde mesafe kazanımı yine %25 olacak ancak enerji kazanımı %10'dan daha düşük olacaktır, iktisatta bu duruma Azalan Marjinal Fayda kanunu ile tasvir edilir. Bu durumu aşmak için ise grafen gibi farklı materyaller ile üretimde uzmanlaşmak gerekiyor.
  • bir sonraki wafer bor dan üretilsede turkiyede ekmek yese :)

  • 
Sayfa: 1
- x
Bildirim
mesajınız kopyalandı (ctrl+v) yapıştırmak istediğiniz yere yapıştırabilirsiniz.